光刻胶与紫外线的关系
紫外光深入参与了半导体制造过程中光刻胶的曝光步骤。曝光工艺是将光刻胶曝光并将设计的图案转移到基板上的重要步骤。紫外线改变光刻胶的分子结构并改变曝光区域的溶解度,形成电路图案。用于曝光的紫外线有多种波长,但常用的是以下类型:
i 线 (365 nm):当不需要非常精细的图案时使用。
KrF 线 (248 nm):适合需要高分辨率的情况。
ArF 线 (193 nm):需要更高分辨率时使用。
极紫外光(13.5 纳米):采用尖端微加工技术,实现极高的分辨率
紫外线的波长越短,可以形成的图案分辨率越高。